CSD19533Q5A, MOSFET 100V 7.8mOhm N-CH Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 ֏
от 10 шт. —
1 420 ֏
от 100 шт. —
1 040 ֏
от 500 шт. —
820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 830 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFETСиловые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.4 mOhms |
| Rise Time: | 6 ns |
| Series: | CSD19533Q5A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Документация
pdf, 767 КБ
