BC858CW-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
256 ֏
от 10 шт. —
176 ֏
от 100 шт. —
93 ֏
от 1000 шт. —
52 ֏
1 шт.
на сумму 256 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 100мА, 200мВт, SOT323 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Вес, г | 0.005 |
