CMPT6429 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 55Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 350mW
![CMPT6429 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 55Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 350mW](https://static.chipdip.ru/lib/540/DOC007540905.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3252 шт., срок 7-9 недель
620 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
242 ֏
от 1000 шт. —
160 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Номенклатурный номер: 8006394942
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 200mA 700MHz 350mW Surface Mount SOT-23
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 100ВµA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 700MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 350mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 507 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг