MMBT2222ALP4-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
396 ֏
от 10 шт. —
278 ֏
от 100 шт. —
106 ֏
от 1000 шт. —
63 ֏
1 шт.
на сумму 396 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10K
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 at 100 uA, 10 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 150 mA, 10 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | MMBT2222 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN1006-3 |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 460mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet MMBT2222ALP4-7B
pdf, 149 КБ
Datasheet MMBT2222ALP4-7B
pdf, 150 КБ
