IXFN24N100, Discrete Semiconductor Modules 1KV 24A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 100 ֏
от 10 шт. —
44 100 ֏
от 100 шт. —
39 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 57 100 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Описание Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 24А, SOT227B, Ugs: ±30В, 568Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Pd - рассеивание мощности | 568 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 390 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Время нарастания | 35 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Конфигурация | Single Dual Source |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 22 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | IXFN24N100 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Ширина | 25.42 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 390 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 568 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | HiperFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 267 nC @ 10 V |
| Width | 25.42mm |
| Вес, г | 5 |
