IXTN210P10T, Discrete Semiconductor Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
59 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 59 100 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Описание Модуль, одиночный транзистор, -100В, -210А, SOT227B, Ugs: ±15В Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
IXTN210P10T
pdf, 174 КБ
