DNLS350E-13, Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 ֏
от 10 шт. —
300 ֏
от 100 шт. —
176 ֏
от 1000 шт. —
129 ֏
1 шт.
на сумму 410 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 1W
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.6 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 290 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | DNLS350 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.112 |
