IXTY1R6N100D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 630 ֏
от 25 шт. —
3 290 ֏
от 70 шт. —
2 790 ֏
от 560 шт. —
2 150 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 630 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Drain current | 1.6A |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Gate charge | 645nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 10Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 100W |
| Reverse recovery time | 11ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, кг | 7.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 278 КБ
