FMMT591TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
374 ֏
от 100 шт. —
159 ֏
от 1000 шт. —
119 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
Технические параметры
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 150 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В |
| Длина | 3.04мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 40 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 1.02мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Размеры | 1.02 x 3.04 x 1.4мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
