TPWR8004PL,L1Q, MOSFET N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15539 шт., срок 6-9 недель
3 340 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 340 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 340 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 0.8@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.4 |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | U-MOSIX-H |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DSOP Advance |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 103 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 49@4.5V|103@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7370@20V |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 530 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
