2SC4117-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR120V
6477 шт., срок 6-9 недель
280 ֏
1 шт.
на сумму 280 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
120V 100mW 200@2mA,6V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA, 1mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 6V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 100mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 379 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг