IRF9530PBF, MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
![Фото 1/6 IRF9530PBF, MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827691.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/217/DOC000217165.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC022368692.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/089/DOC034089391.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/089/DOC034089395.jpg)
1 960 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 170 ֏
от 500 шт. —
870 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 100В 12A 88Вт 0,3Ом TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Корпус | TO220AB |
Крутизна характеристики S,А/В | 3.7 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 88 |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -12 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 300 |
Структура | P-канал |
Температура, С | -55…+175 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 88W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 7.2A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 88 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Width | 4.7mm |
Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 154 КБ
IRF9530 Datasheet
pdf, 173 КБ
Документация
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF9530
pdf, 153 КБ