SSM6N56FE,LM, MOSFET Small-signal MOSFET N-Channel
161408 шт., срок 6-9 недель
540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 800mA 150mW 235mΩ@4.5V,800mA 1V@1mA 2 N-Channel SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 800mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 235mΩ@4.5V, 800mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 55pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1nC@4.5V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
