IXFP34N65X2, MOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 300 ֏
от 10 шт. —
6 800 ֏
от 50 шт. —
5 400 ֏
от 100 шт. —
4 930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 34А, 540Вт, TO220-3, 164нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 34A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V, 17A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5.5V@2.5mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.33nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 540W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 56nC@10V |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 204 КБ
