FCX596TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
410 ֏
от 100 шт. —
269 ֏
от 500 шт. —
197 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | -220 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 200 V |
Maximum DC Collector Current | 300 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 1 |