IXTP76P10T, MOSFETs MSFT P-CH TRENCH GATE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 300 ֏
от 10 шт. —
6 400 ֏
от 50 шт. —
5 200 ֏
от 100 шт. —
4 630 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | -76A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Gate charge | 197nC |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 25mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 298W |
| Reverse recovery time | 70ns |
| Technology | TrenchP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 325 КБ
