FZ600R12KS4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 700A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
203 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 203 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 700A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 3900 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 36.5 mm |
| Длина | 106.4 mm |
| Другие названия товара № | FZ600R12KS4HOSA1 SP000100773 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 700 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | 62 mm |
| Ширина | 61.4 mm |
| Вес, г | 340 |
Техническая документация
Datasheet FZ600R12KS4
pdf, 436 КБ
