BC847C-7-F, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
207 ֏
от 10 шт. —
141 ֏
от 100 шт. —
66 ֏
от 1000 шт. —
42 ֏
1 шт.
на сумму 207 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор биполярный BC847C-7-F от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный NPN компонент, выполненный в технологии SMD для монтажа на поверхность. Данный транзистор характеризуется током коллектора до 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность устройства составляет 0,31 Вт, позволяя использовать его в различных электронных схемах. Компактный корпус SOT23 обеспечивает минималистичное размещение на плате и оптимальное рассеивание тепла. Продукт BC847C7F идеально подходит для поверхностного монтажа в современных высокотехнологичных устройствах. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
| Мощность, Вт | 0.31 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC847C |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | BC847 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 300mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.008 |
