IXFN420N10T, MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 000 ֏
от 10 шт. —
28 000 ֏
от 20 шт. —
26 800 ֏
от 50 шт. —
24 600 ֏
1 шт.
на сумму 38 000 ֏
Описание
Unclassified
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 420 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.07 kW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Screw Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-227 |
Pin Count | 4 |
Series | GigaMOS Trench HiperFET |
Typical Gate Charge @ Vgs | 670 nC @ 10 V |
Width | 25.07mm |
Техническая документация
IXFN420N10T
pdf, 170 КБ