IXFH30N50P, MOSFETs 500V 30A
![IXFH30N50P, MOSFETs 500V 30A](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 900 ֏
от 10 шт. —
8 800 ֏
от 30 шт. —
7 500 ֏
от 120 шт. —
6 400 ֏
1 шт.
на сумму 10 900 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 30A |
Drain-source voltage | 500V |
Gate charge | 70nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 200mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 460W |
Reverse recovery time | 200ns |
Technology | HiPerFET™, PolarHV™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 319 КБ