DSS2540M-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
423 ֏
от 10 шт. —
273 ֏
от 100 шт. —
119 ֏
от 1000 шт. —
87 ֏
1 шт.
на сумму 423 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Trans GP BJT NPN 40 В 0,5 А 250 мВт 3-контактный DFN T / R
Технические параметры
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2 50mA 500mA |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Typ) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | DFN |
| Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DSS2540M-7B
pdf, 365 КБ
