FF1200R17IP5BPSA1, IGBT Modules PP IHM I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
655 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 655 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1700V 1200A Модуль для монтажа на шасси 20 мВт
Технические параметры
| Base Product Number | FF1200 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 68nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tray |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 20mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | PrimePackв„ў2 -> |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 1.2кА |
| DC Ток Коллектора | 1.2кА |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | PrimePACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
