IXTH02N250, MOSFETs High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

21 000 ֏

от 10 шт. — 17 800 ֏

от 30 шт. — 15 300 ֏

от 60 шт. — 14 000 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 21 000 ֏

Номенклатурный номер: 8006417051

Unclassified

МОП-транзистор High Voltage Power МОП-транзистор;2500V, 0.2A

Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	83 W
Qg - заряд затвора	7.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	450 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	2.5 kV
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	19 ns
Время спада	33 ns
Высота	21.46 mm
Длина	16.26 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	88 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXTH02N250
Технология	Si
Тип	High Voltage Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	32 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.3 mm
Вес, г	6.5