TEMT1000, Phototransistors Reverse gullwing 730-1000nm +/-15 deg
![Фото 1/4 TEMT1000, Phototransistors Reverse gullwing 730-1000nm +/-15 deg](https://static.chipdip.ru/lib/932/DOC043932142.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/896/DOC005896986.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC045071884.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC022370214.jpg)
1 120 ֏
от 10 шт. —
720 ֏
от 100 шт. —
432 ֏
от 500 шт. —
401 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 120 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Sensors\Optical Sensors\Phototransistors
Описание Фототранзистор, -p макс 950нм, 5В, 15°, -d 730-1000нм
Технические параметры
Automotive | No |
Cut-Off Filter | Visible Cut-off |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Half Intensity Angle Degrees - (??) | 30 |
Maximum Collector Current - (mA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | 0.3 |
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 70(Min) |
Maximum Dark Current - (nA) | 200 |
Maximum Emitter-Collector Voltage - (V) | 5 |
Maximum Light Current - (uA) | 7000(Typ) |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 100 |
Military | No |
Number of Channels per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -40~85 |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Wavelength - (nm) | 950 |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
Standard Package Name | SMD |
Supplier Package | SMD |
Viewing Orientation | Top View |
Spectrums Detected | Day Light |
Typical Fall Time | 2.3µs |
Typical Rise Time | 2µs |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
Документация
pdf, 193 КБ
Datasheet TEMT1000, TEMT1020, TEMT1030, TEMT1040
pdf, 201 КБ