TEMT1000, Phototransistors Reverse gullwing 730-1000nm +/-15 deg

Фото 1/4 TEMT1000, Phototransistors Reverse gullwing 730-1000nm +/-15 deg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 120 ֏
от 10 шт.720 ֏
от 100 шт.432 ֏
от 500 шт.401 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 120 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006417396

Описание

Sensors\Optical Sensors\Phototransistors
Описание Фототранзистор, -p макс 950нм, 5В, 15°, -d 730-1000нм

Технические параметры

Automotive No
Cut-Off Filter Visible Cut-off
Fabrication Technology NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees - (??) 30
Maximum Collector Current - (mA) 50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) 0.3
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 70(Min)
Maximum Dark Current - (nA) 200
Maximum Emitter-Collector Voltage - (V) 5
Maximum Light Current - (uA) 7000(Typ)
Maximum Power Dissipation - (mW) 100
Military No
Number of Channels per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -40~85
Packaging Tape and Reel
Peak Wavelength - (nm) 950
Pin Count 2
Polarity NPN
Standard Package Name SMD
Supplier Package SMD
Viewing Orientation Top View
Spectrums Detected Day Light
Typical Fall Time 2.3µs
Typical Rise Time 2µs

Техническая документация