MMBTA56-7-F, Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
181 ֏
от 10 шт. —
128 ֏
от 100 шт. —
58 ֏
от 1000 шт. —
37 ֏
1 шт.
на сумму 181 ֏
Посмотреть аналоги7
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 0,5А, 310мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Maximum DC Collector Current | -500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -4 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.008 |
