DXTP07040CFG-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
![DXTP07040CFG-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523414.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 100 шт. —
414 ֏
от 500 шт. —
312 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
Вес, г | 60 |
Техническая документация
Datasheet DXTP07040CFG-7
pdf, 717 КБ