IGD10N65T6ARMA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 720 ֏
от 10 шт. —
2 050 ֏
от 100 шт. —
1 610 ֏
от 250 шт. —
1 440 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 720 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 23А |
| Power Dissipation | 75Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT6 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IGD10N65T6ARMA1
pdf, 3336 КБ
