IPT111N20NFDATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 400 ֏
от 2 шт. —
8 700 ֏
от 5 шт. —
8 200 ֏
1 шт.
на сумму 9 400 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 200V, 96A, HSOF-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:96A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 96 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 11.1@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 375000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 9 |
| Supplier Package | HSOF |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 65@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5300@100V |
| Drain Source On State Resistance | 0.009Ом |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 96А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.009Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 96 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0111 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | HSOF-8 |
| Series | OptiMOS 3 |
| Вес, г | 0.9417 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1004 КБ
