2DD2679-13, Bipolar Transistors - BJT LO VSAT NPN SMT 2.5K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
238 ֏
от 1000 шт. —
158 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор NPN, биполярный, 30В, 2А, 900мВт, SOT89 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Case | SOT89 |
| Collector current | 2A |
| Collector-emitter voltage | 30V |
| Current gain | 270…680 |
| Frequency | 240MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.9W |
| Type of transistor | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 270 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
