IKW20N60H3FKSA1, IGBTs 600V 20A 170W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 560 ֏
от 10 шт. —
3 160 ֏
от 25 шт. —
2 580 ֏
от 100 шт. —
2 010 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 560 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 1.07mJ |
| Gate Capacitance | 1100pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 100kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW20N60H3FKSA1
pdf, 2124 КБ
