NCP81075DR2G, Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 000 ֏
от 10 шт. —
2 340 ֏
от 100 шт. —
1 800 ֏
от 250 шт. —
1 470 ֏
1 шт.
на сумму 3 000 ֏
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Технические параметры
| IC Case / Package | SOIC |
| Задержка Выхода | 20нс |
| Задержка по Входу | 20нс |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 2канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Максимальная Рабочая Температура | 140 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальное Напряжение Питания | 8.5В |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Тип переключателя питания | MOSFET |
| Ток истока | 4А |
| Ток стока | 4А |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NCP81075DR2G
pdf, 118 КБ
