IKD04N60RC2ATMA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
890 ֏
от 10 шт. —
760 ֏
от 100 шт. —
472 ֏
от 500 шт. —
380 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
IKD04N60RC2, SP004542900
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 8А |
| Power Dissipation | 36.6Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP RC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKD04N60RC2ATMA1
pdf, 1441 КБ
