APT150GN60JDQ4, IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 150 A SOT-227
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 46 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 536 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 9.6 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
| Длина | 38.2 mm |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | ISOTOP |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 220 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Ширина | 25.4 mm |
| Вес, г | 30 |
