FZT851TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 6А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Base Product Number | FZT851 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 130MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 3W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 375mV @ 300mA, 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 10 A, 1 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 375 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT851 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 150 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 375 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 6 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 at 10 A, 1 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product FT | 130 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 20 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 3 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | FZT851 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Power Dissipation | 3 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 58 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 449 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 457 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 533 КБ