IGW50N60TFKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 000 ֏
от 30 шт. —
4 050 ֏
от 120 шт. —
3 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 000 ֏
Описание
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 333Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 3.6mJ |
| Gate Capacitance | 3140pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 90 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW50N60TFKSA1
pdf, 489 КБ
