FMMT455TA

FMMT455TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.484 ֏
от 100 шт.251 ֏
от 500 шт.216 ֏
2 шт. на сумму 1 240 ֏
Номенклатурный номер: 8006583265
Бренд: DIODES INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 140V 1A 100MHz 500mW Surface Mount SOT-23-3

Технические параметры

Base Product Number FMMT455 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 500mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.1 mm
Длина 3 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 140 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FMMT45
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm

Техническая документация

Datasheet FMMT455TA
pdf, 129 КБ