BC847BS-7-F
![Фото 1/5 BC847BS-7-F](https://static.chipdip.ru/lib/774/DOC043774763.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313888.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639399.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/926/DOC012926071.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
322 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
225 ֏
от 100 шт. —
102 ֏
от 500 шт. —
81 ֏
3 шт.
на сумму 966 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Описание Транзистор биполярный BC847BS-7-F от DIODES INCORPORATED — высококачественный полупроводниковый компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Эта модель обладает типом NPN, что делает её идеальной для широкого спектра электронных применений, требующих быстрого переключения и низкого напряжения. Корпус SOT363 гарантирует компактные размеры и удобство интеграции в печатные платы. Мощность устройства составляет 0,2 Вт, что обеспечивает хороший баланс между производительностью и энергоэффективностью. Использование BC847BS7F в вашем проекте позволит достичь отличной стабильности и надёжности в работе электронных схем. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Мощность, Вт | 0.2 |
Корпус | SOT363 |
Технические параметры
Base Product Number | BC847 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 400 mV |
Configuration | Dual |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 200 mA |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | BC847B |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-363(SC-88) |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 106 КБ
Datasheet BC847BS-7-F
pdf, 196 КБ
Datasheet BC847BS
pdf, 359 КБ