MMDT5401-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
405 ֏
от 100 шт. —
190 ֏
от 500 шт. —
143 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, 150В, 0,2А, 200мВт, SOT363 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Base Product Number | MMDT5401 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 300MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Высота: | 1 mm |
Длина: | 2.2 mm |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 60 |
Конфигурация: | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 240 |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.2 A |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | - 160 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | - 150 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | - 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | - 5 V |
Непрерывный коллекторный ток: | - 0.2 A |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |
Производитель: | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки: | 3000 |
Серия: | MMDT54 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок: | SOT-363-6 |
Ширина: | 1.35 mm |
Вид | PNP |
Тип | биполярный |
Техническая документация
Datasheet MMDT5401-7-F
pdf, 367 КБ
Datasheet MMDT5401-7-F
pdf, 374 КБ