FMMT593TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
251 ֏
от 500 шт. —
216 ֏
2 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
Описание Транзистор PNP, биполярный, 100В, -1А, 500мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 50 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 1.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | -120 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -300 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 50 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | FMMT593 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 3 mm |
| RoHS | Details |
| Width | 1.4 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | PNP |
