MMST5401-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
308 ֏
от 100 шт. —
141 ֏
от 500 шт. —
112 ֏
2 шт.
на сумму 968 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор PNP 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Технические параметры
| Base Product Number | MMST5401 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMST5401 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | -160 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -150 V |
| Maximum DC Collector Current | -200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 60 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 378 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 119 КБ
Datasheet MMST5401-7-F
pdf, 70 КБ
