Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › DPLS4140E-13

DPLS4140E-13

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

710 ֏

от 10 шт. — 620 ֏

от 100 шт. — 374 ֏

от 500 шт. — 281 ֏

1 шт. на сумму 710 ֏

Номенклатурный номер: 8006698112

Бренд: DIODES INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Биполярный (BJT) транзистор PNP 140V 4A 150MHz 1W Surface Mount SOT-223

Технические параметры

Base Product Number	DPLS4140 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1A, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	150MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	1W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	360mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	140V
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	6.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	140 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	360 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DPLS4140
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.5 mm