MMBT4401T-7-F

MMBT4401T-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
374 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.256 ֏
от 100 шт.115 ֏
от 500 шт.92 ֏
3 шт. на сумму 1 122 ֏
Номенклатурный номер: 8006711766
Бренд: DIODES INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 40V 600mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523

Технические параметры

Base Product Number MMBT4401 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-523
Power - Max 150mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SOT-523
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.75 mm
Длина 1.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.75 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.6 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMBT44
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-523-3
Ширина 0.8 mm

Техническая документация

Datasheet MMBT4401T-7-F
pdf, 878 КБ
Datasheet MMBT4401T-7-F
pdf, 868 КБ