ZDT1048TA

Фото 1/2 ZDT1048TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 070 ֏
от 10 шт.1 590 ֏
от 100 шт.1 140 ֏
от 500 шт.900 ֏
1 шт. на сумму 2 070 ֏
Номенклатурный номер: 8006747953
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max NPN 17.5В
Collector Emitter Voltage Max PNP -
Continuous Collector Current NPN
Continuous Collector Current PNP -
DC Current Gain hFE Min NPN 250hFE
DC Current Gain hFE Min PNP -
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE 250hFE
Power Dissipation NPN 2.75Вт
Power Dissipation PNP -
Transition Frequency NPN 150МГц
Transition Frequency PNP -
Квалификация -
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 17.5В
Полярность Транзистора Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность 2.75Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора SM8
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 17.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
Configuration: Dual
Continuous Collector Current: 5 A
DC Current Gain hFE Max: 280
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 150 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SM-8
Pd - Power Dissipation: 2.75 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: ZDT1048
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet ZDT1048TA
pdf, 340 КБ