Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › RN2106,LF(CT

RN2106,LF(CT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2800 шт., срок 7-9 недель

254 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 762 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8006778526

Бренд: Toshiba

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 100 мВт SSM для поверхностного монтажа

Технические параметры

Base Product Number	2SC2655 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	200MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-75, SOT-416
Power - Max	100mW
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
RoHS Status	RoHS non-compliant
Supplier Device Package	SSM
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN2106
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SSM-3