FZT558TA

Фото 1/6 FZT558TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
880 ֏
от 10 шт.750 ֏
от 100 шт.458 ֏
от 500 шт.368 ֏
1 шт. на сумму 880 ֏
Номенклатурный номер: 8006781331
Бренд: DIODES INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор PNP 400V 200mA 50MHz 2W Surface Mount SOT-223

Технические параметры

Base Product Number FZT558 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 50MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2W
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 6mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.75
PCB changed 3
Package Height 1.6
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Tab Tab
Package Width 3.5
Package Length 6.5
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 400
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 400
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9@5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Minimum DC Current Gain 100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 3000
Maximum Transition Frequency (MHz) 50(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-223
Pin Count 4
Standard Package Name SOT
Military No
Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm (Max)
Длина 6.7 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT558
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm (Max)
Maximum Collector Base Voltage 400 V
Maximum Collector Emitter Voltage -400 V
Maximum DC Collector Current -200 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 50 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2 W
Package Type SOT-223(SC-73)
Transistor Configuration Single
Case SOT223
Collector current 0.2A
Collector-emitter voltage 400V
Current gain 100…300
Frequency 50MHz
Kind of package reel, tape
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Polarisation bipolar
Power dissipation 2W
Type of transistor PNP
Вес, г 0.112

Техническая документация

Datasheet
pdf, 541 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 151 КБ
Datasheet FZT558TA
pdf, 502 КБ
Datasheet FZT558TA
pdf, 504 КБ