BCP5216TA
![Фото 1/5 BCP5216TA](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775390.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/357/DOC021357203.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
348 ֏
от 100 шт. —
163 ֏
от 500 шт. —
138 ֏
2 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Описание Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Base Product Number | BCP5216 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 150MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCP52 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
Maximum DC Collector Current | -1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |