TK110E10PL.S1X
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. с центрального склада, срок 3 недели
3 960 ֏
1 шт.
на сумму 3 960 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Fall Time: | 9 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 87 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 33 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
Rise Time: | 6 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | U-MOSIX-H |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 569 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг