BSZ0501NSIATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 450 ֏
от 2 шт. —
2 000 ֏
от 5 шт. —
1 730 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 450 ֏
Описание
Электроэлемент
Mosfet, N-Ch, 30V, 40A, 150Deg C, 50W Rohs Compliant: Yes |Infineon BSZ0501NSIATMA1
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 40 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2100(Typ) |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | OptiMOS 5 |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TSDSON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 33 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 24@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1500@15V |
| Id - непрерывный ток утечки | 123 A |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 3 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Другие названия товара № | BSZ0501NSI SP001281638 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS 5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Вес, г | 0.0788 |
Техническая документация
Datasheet BSZ0501NSIATMA1
pdf, 1635 КБ
Datasheet BSZ0501NSIATMA1
pdf, 933 КБ
