IXFH170N10P, MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 500 ֏
от 10 шт. —
12 200 ֏
от 30 шт. —
11 100 ֏
от 60 шт. —
10 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 500 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 100В, 170А, 715Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 198 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 6.5 |
