IRF1010Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 340 ֏
от 2 шт. —
1 850 ֏
от 5 шт. —
1 530 ֏
от 10 шт. —
1 410 ֏
1 шт.
на сумму 2 340 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRF1010ZPBF от известного производителя INFINEON обеспечивает высокую производительность для широкого спектра электронных применений. С монтажом THT, этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 94 А при напряжении сток-исток 55 В, что делает его идеальным для мощных задач. Мощность устройства достигает 140 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0075 Ом, гарантируя высокую эффективность и минимизацию потерь в цепи. Корпус TO220AB обеспечивает надежную защиту и удобство при монтаже. Приобретая IRF1010ZPBF, вы получаете надежный компонент для вашей электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 94 |
| Напряжение сток-исток, В | 55 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0075 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A(Tc) |
| Design Resources | IRF1010ZL Saber ModelIRF1010ZL Spice Model |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2840pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Online Catalog | N-Channel Standard FETs |
| Other Names | *IRF1010ZPBF |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| PCN Assembly/Origin | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Power - Max | 140W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Id - непрерывный ток утечки | 94 A |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 94 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Width | 4.69mm |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 353 КБ
Datasheet IRF1010ZPBF
pdf, 399 КБ
Документация
pdf, 407 КБ
